STL8DN6LF3

STMicroelectronics

STL8DN6LF3
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Parte no STL8DN6LF3
Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
En stock 1160 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
3000 pcs
$0.845
Presente un Solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.
Precio objetivo:(USD)
Cantidad:
Total:
$0.845

Presupuesto

Ficha de datos

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:PowerFlat™ (5x6)
Serie:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
RDS (Max) @Id, Vgs:30 mOhm @ 4A, 10V
Potencia - Max:65W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:497-13169-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:668pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 65W Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20A
Número de pieza base:ST*8DN
Email:RFQ@blueschip-store.com

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