FGL60N100BNTD

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGL60N100BNTD
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Parte no FGL60N100BNTD
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción IGBT 1000V 60A 180W TO264
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
En stock 15050 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs10 pcs375 pcs750 pcs1125 pcs
$6.59$5.92$4.602$4.129$3.482
Presente un Solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.
Precio objetivo:(USD)
Cantidad:
Total:
$6.59

Presupuesto

Ficha de datos

Tensión - Colector-emisor (máx):1000V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:2.9V @ 15V, 60A
Condición de prueba:600V, 60A, 51 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C:140ns/630ns
Cambio de Energía:-
Paquete del dispositivo:TO-264
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):1.2µs
Potencia - Max:180W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-264-3, TO-264AA
Otros nombres:FGL60N100BNTD-ND
FGL60N100BNTDFS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT and Trench
puerta de carga:275nC
Descripción detallada:IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264
Corriente - Colector Pulsada (ICM):120A
Corriente - colector (Ic) (Max):60A
Email:RFQ@blueschip-store.com

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