DMG8880LSS-13

Diodes Incorporated

DMG8880LSS-13
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Parte no DMG8880LSS-13
Fabricante Diodes Incorporated
Descripción MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
En stock 9100 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
$0.45
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Precio objetivo:(USD)
Cantidad:
Total:
$0.45

Presupuesto

Ficha de datos

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10 mOhm @ 11.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.43W (Ta)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:1034-DMG8880LSS-13DICT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1289pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:27.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 11.6A (Ta) 1.43W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11.6A (Ta)
Email:RFQ@blueschip-store.com

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